Шпаргалки для студентов

готовимся к сессии

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта

Экзаменационные вопросы по курсу минералогии с основами кристаллогра­фии - Закон постоянства углов Стено

Печать
Индекс материала
Экзаменационные вопросы по курсу минералогии с основами кристаллогра­фии
Кристаллы. Пространственная и кристаллическая решетка
Облик и габитус кристаллов
Закон постоянства углов Стено
Гониометрия. Типы гониометров
Кристаллографические проекции
Симметрия и элементы симметрии. Центр инверсии. Плоскость симметрии
Симметрия. Элементы симметрии
Взаимодействие элементов симметрии
Симметрично равные и единичные направления в кристаллах
Взаимодействие единичных направлений с элементами симметрии
Кристаллографические координатные системы
Сингонии
Виды симметрии кристаллов, обладающих единичными направлениями
Виды симметрии кристаллов, не обладающих единичными направлениями
Обозначение видов симметрии
Частные и общие простые формы, комбинации
Понятие о выводе простых форм
Основные типы гидротермальных ассоциаций
Кристаллографические разновидности простых форм
Параметры граней
Закон целых чисел или закон рациональности параметров
Индексы граней по Вейсу и Миллеру.
Индексы Миллера в ортогональной трехосной системе координат
Символы ребер. Закон Вейса
Все страницы

 

Закон постоянства углов Стено


Разработан Николой Стено. Углы между гранями остаются постоянными. У кристаллов одной и той же полиморфной модификации грани и ребра остаются постоянными. Причина соблюдения закона — решетчатое строение.

Послойный рост по спирально-винтовому (дислокационному) механизму.

Грани реальных кристаллов практически никогда не бывают идеальны. На их поверхности всегда бывают нарушения – дефекты, благодаря которым возникают краевые и винтовые дислокации. Нарастание граней в таком случае происходит путем навивания одного слоя на другой. Такой рост может происходить при сколь угодно малых пересыщениях и даже из паров. Дислокации являются непрерывно действующим источником возникновения слоев и снимают необходимость появления на гладкой поверхности растущей грани двумерного зародыша.

Температура и давление процессов минералообразования:

Температура варьируется от отрицательных значений при экзогенных процессах, до 13000 С – температура затвердевания основных и ультраосновных магм, кристаллизация магнетита из расплава начинается при 15000 С. Из сухих расплавов кристаллизация может начинаться и при 1600 – 1700, для ультраосновных до 18000 С. В присутствии летучей воды и углекислоты температура плавления снижается.

Давление

Нижний предел – атмосферное давление. Верхний предел неизвестен.

Большинство процессов в з.к. протекает при давлениях до 2 – 3 кбар, алмазообразование – до 40 кбар. При ударных процессах образование стишовита происходит при давлениях до 120 кбар.